形勢嚴峻!芯片設備國產率達35%了,但光刻機依然不到5%_中國_nm_生產線
近日,有媒體報道稱,截止至2025年,國內芯片設備的國產化率大約在30%左右,而預計到2026年,這個比例會提高到35%。
當然,這個比例指的是新建的芯片生產線上的國產化率,不包括老的生產線。
老的生產線,還是以國外的設備為主,畢竟芯片生產線也相當于一個生態,半途中一般不會進行切換,除非買不到設備了。
但是,大家要注意的是,雖然整體的國產化率高達35%,但有一種設備,其國產化率,卻依然不到5%,幾乎全部依賴進口,它就是光刻機。
2024年、2025年這兩年,中國進口的光刻機金額都是超過100億美元的,2024年是107億美元,2025年是106億美元。
2026年,預計會少一點,但并不是因為我們的自給率提高了,而是在過去幾年,我們從ASML購買了大量的光刻機。
如下圖所示,這是最近5年,中國從ASML購買的光刻要金額,可以看到高達300億歐元,也就是2000多億元人民幣。
過去囤積的多,所以2026年相對從ASML買的少了一點,并不是因為自給率提升了。
從技術上來看,目前國內的水平,還處于干式DUV階段,連浸潤式DUV都沒有,而干式DUV遠遠滿足不了我們的需求,干式DUV,通過多重曝光,也最多能夠達到28nm的水平。
浸潤式DUV通過多重曝光,才能進入7nm,而進入5nm工藝,最好的是需要EUV光刻機才行。
所以說,目前國內的光刻機,確實還滿足不了需求,技術遠遠不夠。
那么為何光刻機研發這么難呢?原因就是光刻機確實復雜,是光學、力學、物理學等等的結合,而中國被打壓,需要搞定整個供應鏈,太難了。不像ASML,是整合全球供應鏈一起的,ASML實際上自研的元件,只占光刻機的20%,另外的80%都是整合而來,而我們沒有這個條件。
不過,光刻機再難,我們也必須突破,否則我們就一直無法進入先進工藝領域,至于突破浸潤式DUV,突破EUV要多久,那就誰也不知道,只能是拭目以待。返回搜狐,查看更多









